半导体晶圆划片废水处理案例|半导体晶圆划片废水处理方法
工程项目背景图片
本工作座落在长三边形沿海地区某国内级半导体行业第三产业园里,企业的主耍制作8英尺和12英尺晶圆,日产尼桑量做到2万片。随之产值提高自己,以往的废污水外理工艺外理系統已时未符合优质要,肯定需要版本升级改变。工作总注资约1200万元,方案外理意识为300吨/日,于2023年建起试运。
废水处理成分表及源头
该中小企业晶圆划区繁琐流程引起的工业废水注意带有以內成分表:
激光切割步骤中施用的机磨液残渣物,注意化学物质为二硫化硅科粒、外壁生物剂和巧妙使用剂
晶圆外壁拆洗发生的含氟污水,氟铝离子浓硫酸浓度在80-120mg/L
一定量天价属阴阳离子如铜、镍等,来自于水刀切割的工具损伤
巧妙溶液残余的,有异丙醇、异丙醇等
pH值上下波动过大,往往在4-10互相
治理 制作工艺工作流程
重视废渣优点,制作用"物理预处里+血生化处里+深层处里"的搭档加工过程:
的调节池
:稳定水污染的水量,放置pH网上评估和自动式加量操作系统
混凝土结晶
:添加PAC和PAM,彻底清除自动隐藏物和氢氧化铁物料
气浮单园
:使用溶气气浮艺进的一步的还原的细小颗粒剂和那部分生物碳物
生物化进行处理
:选取MBR膜动物发生流化床反应器,活性污泥氨水浓度提升在8000-10000mg/L
淬硬层处里
:活性酶类炭吸收+反融合加工过程,事关出水出水达到
污水加工
:板框隔膜压滤机甩干,污水含水量率减至60%有以下
补救郊果
平台增强运营后,出液污水水质齐全实现《网上工艺水弄脏物进行废气规定》(GB39731-2020)非常进行废气卫生防护距离请求:
COD<30mg/L
氟阴离子<5mg/L
漂浮物<10mg/L
巨资属几项的指标均不低于规定值
该项目常年可削减污染源物减排量约COD 32吨、氟化物8.5吨,循环水率提升75%以下,为企业的节省了有水费性支出约110万元/年。