该半导体行业制作厂基本制造8屏幕尺寸晶圆，制造的过程中存在多重高密度電子废污水，具有着有效成分很复杂、致毒大、难光降解等亮点。多余加工系統对氟化物和有机物废弃物物清掉成果不佳，需实行水平改建。 污水化学成分及起源 存储芯片刻蚀废水处理：含高溶液浓度氟化物(200-800mg/L)、聚磷酸盐 CMP抛光化工废水：含微米级硅粉、铜粉及有机会抛光剂 光刻胶废气：含光刻胶的残留物物、显影液液等高含量有机质被污染的物(COD电动车续航10000mg/L上面) 的清洗生活污水：含异丙醇、异丙醇等生产稀释剂 进行处理工艺设计流程步骤 选取"分质办理+高級硫化+菌物进行强化"的多元化生产工艺规划： 分质清理软件 ： 氟化物生活污水：用于有级电学悠长岁月中法，先加药系统氯化钙转变成氟化钙悠长岁月中，再实现铝盐水泥混凝土武器锻造消除 CMP生活污水：混疑沉淀物中+淘瓷膜滤水组和方法我们要除微米科粒 高无机废气浓度无机废污水：随便收藏后进行高端氧化的预除理 高等钝化第一单元 ： 活性氧催化氧化反应钝化：适用专属催化氧化反应剂，增进活性氧运用率 无机化学式阳极氧化：对于难挥发充分物去深层加工处理 动物加工设计 ： 黏结式厌氧症状器症状器：高效性吸附大生物大分子有机酸物 好氧活动床生物工程膜反應器(MBBR)：抗冲击性容载的能力强 菌物活性酶炭滤池：进一个步骤清掉轻微污染破坏物 进一步再生第一单元 ： 反构建装置+反构建双膜系统化：保证 冒水符合高纯净水回收需求 阴阳阴阳离子交易操作系统：避开残余物阴阳阴阳离子 最后结果 系统性不稳开机运行后，数据来完成指标依赖于制作基准： 氟化物<5mg/L(出掉率>99%) COD<30mg/L(清理率>99.5%) 总铜<0.1mg/L 出水出水电阻功率率>15MΩ·cm(规定要求产出加工制作工艺 中水回用规定要求) 楼盘完成了75%的废污水循环率，年可以减少废污水排放出量约10万吨，高級硫化单元式的用电量比常用工艺流程降30%，运营资金更为明显骤降。