济南某半导体技术存储芯片创造厂，晶圆工艺时候中会产生含硅、氟的层次性电镀污废水 ，设计净化除理大规模1200吨/日。电镀污废水 组成比较复杂，带有纳米级级硅颗粒剂及氢佛酸，传统化净化除理方式 不好标准。 污水的成分及因素 主要的破坏物 ：橡胶胶体部分硅（100-500nm比表面积）、氟铁离子（200-300mg/L）、异丙醇 來源生产工序 ：晶圆刻蚀电镀废渣（45%）、CMP电化学厂家磨光电镀废渣（40%）、设配冲干净水（15%） 外理加工过程具体步骤 不断创新用"药剂学沉定+劳动防护膜分离法"工艺路线图： 钙盐发展 ：污泥脱水氯化钙的还原氟亚铁离子（转换成CaF2水解） 斜板沉淀池反应迟钝 ：分手后复合斜管沉淀池剂推动悬浊液硅脱稳 管式微滤 ：0.1μm孔经膜挪用微细颗粒状 反固化装置 ：脱盐率>98%，收旧率75% 蒸馏晶体 ：浓水段变现氟化物达标排放口 决定性结果 氟化物有机废气浓度：<8mg/L（降至发展中国家3级准则10mg/L） 硅浓度：<5mg/L 水自然资源循环率：70%应用在待混凝土冷却塔补充水分 垃圾避免：多效蒸发杂质量较传统意义生产工艺避免60%